NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ תיאור המוצר
| תכונת מוצר | ערך תכונה |
| יַצרָן: | onsemi |
| קטגוריית מוצר: | MOSFET |
| RoHS: | פרטים |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה/מארז: | WDFN-8 |
| קוטביות טרנזיסטור: | N-Channel |
| מספר ערוצים: | ערוץ 1 |
| Vds - מתח פירוק מקור ניקוז: | 30 V |
| מזהה - זרם ניקוז מתמשך: | 44 א |
| Rds On - התנגדות מקור ניקוז: | 7.4 מילי אוהם |
| Vgs - מתח מקור שער: | - 20 וולט, + 20 וולט |
| Vgs th - מתח סף מקור שער: | 1.3 וולט |
| Qg - טעינת שער: | 18.6 nC |
| טמפרטורת עבודה מינימלית: | - 55 C |
| טמפרטורת עבודה מקסימלית: | + 150 C |
| Pd - פיזור כוח: | 3.9 וואט |
| מצב ערוץ: | הַגבָּרָה |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור טייפ |
| אריזה: | MouseReel |
| מותג: | onsemi |
| תְצוּרָה: | יחיד |
| סוג המוצר: | MOSFET |
| סִדרָה: | NTTFS4C10N |
| כמות מארז במפעל: | 1500 |
| קטגוריית משנה: | MOSFETs |
| משקל יחידה: | 29.570 מ"ג |
♠ NTTFS4C10N MOSFET - מתח, יחיד, N-Channel, 8FL 30 V, 44 A
• RDS נמוך (מופעל) כדי למזער הפסדי הולכה
• קיבולת נמוכה כדי למזער את הפסדי הנהג
• טעינת שער אופטימלית כדי למזער הפסדי מיתוג
• התקנים אלה הם ללא Pb, ללא הלוגן/ללא BFR והם תואמים ל-RoHS
• ממירי DC-DC
• מתג עומס כוח
• ניהול סוללות למחשב נייד
