NVTFS5116PLTWG MOSFET יחיד P-Channel 60V,14A,52mohm
♠ תיאור המוצר
| תכונת מוצר | ערך תכונה |
| יַצרָן: | onsemi |
| קטגוריית מוצר: | MOSFET |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה / מארז: | WDFN-8 |
| קוטביות טרנזיסטור: | P-Channel |
| מספר ערוצים: | ערוץ 1 |
| Vds - מתח פירוק מקור ניקוז: | 60 V |
| מזהה - זרם ניקוז מתמשך: | 14 א |
| Rds On - התנגדות מקור ניקוז: | 52 mOhms |
| Vgs - מתח מקור שער: | - 20 וולט, + 20 וולט |
| Vgs th - מתח סף מקור שער: | 3 V |
| Qg - טעינת שער: | 25 nC |
| טמפרטורת עבודה מינימלית: | - 55 C |
| טמפרטורת עבודה מקסימלית: | + 175 C |
| Pd - פיזור כוח: | 21 W |
| מצב ערוץ: | הַגבָּרָה |
| הכשרה: | AEC-Q101 |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור טייפ |
| אריזה: | MouseReel |
| מותג: | onsemi |
| תְצוּרָה: | יחיד |
| מעבר מוליכות קדימה - מינימום: | 11 ש |
| סוג המוצר: | MOSFET |
| סִדרָה: | NVTFS5116PL |
| כמות מארז במפעל: | 5000 |
| קטגוריית משנה: | MOSFETs |
| סוג טרנזיסטור: | 1 ערוץ P |
| משקל יחידה: | 0.001043 אונקיות |
• טביעת רגל קטנה (3.3 x 3.3 מ"מ) לעיצוב קומפקטי
• RDS נמוך (מופעל) כדי למזער הפסדי הולכה
• קיבולת נמוכה כדי למזער את הפסדי הנהג
• NVTFS5116PLWF - מוצר צדפים הרטבים
• AEC−Q101 מוסמך ובעל יכולת PPAP
• התקנים אלה הם Pb-Free והם תואמי RoHS
