נהגי שער VNS1NV04DPTR-E OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ תיאור המוצר
| תכונת מוצר | ערך תכונה |
| יַצרָן: | STMicroelectronics |
| קטגוריית מוצר: | נהגי שער |
| מוצר: | מנהלי התקנים של שער MOSFET |
| סוּג: | צד נמוך |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה / מארז: | SOIC-8 |
| מספר נהגים: | 2 נהג |
| מספר יציאות: | 2 פלט |
| זרם מוצא: | 1.7 א |
| מתח אספקה - מקסימום: | 24 V |
| זמן עלייה: | 500 ns |
| זמן הסתיו: | 600 ns |
| טמפרטורת עבודה מינימלית: | - 40 C |
| טמפרטורת עבודה מקסימלית: | + 150 C |
| סִדרָה: | VNS1NV04DP-E |
| הכשרה: | AEC-Q100 |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור טייפ |
| אריזה: | MouseReel |
| מותג: | STMicroelectronics |
| רגיש ללחות: | כן |
| זרם אספקת הפעלה: | 150 uA |
| סוג המוצר: | נהגי שער |
| כמות מארז במפעל: | 2500 |
| קטגוריית משנה: | PMIC - ICs לניהול צריכת חשמל |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| משקל יחידה: | 0.005291 אונקיות |
♠ OMNIFET II מוגן אוטומטי לחלוטין MOSFET Power
ה-VNS1NV04DP-E הוא התקן שנוצר על ידי שני שבבים מונוליטיים של OMNIFET II המאוחסנים בחבילת SO-8 סטנדרטית.ה-OMNIFET II מתוכננים בטכנולוגיית STMicroelectronics VIPower™ M0-3: הם מיועדים להחלפה של MOSFETs Power סטנדרטיים מיישומי DC עד 50KHz.כיבוי תרמי מובנה, הגבלת זרם ליניארי ומהדק מתח יתר מגנים על השבב בסביבות קשות.
ניתן לזהות משוב תקלה על ידי ניטור המתח בפין הקלט.
• הגבלת זרם ליניארי
• כיבוי תרמי
• הגנה מפני קצר חשמלי
• מהדק משולב
• זרם נמוך הנלקח מפין קלט
• משוב אבחון באמצעות פין קלט
• הגנת ESD
• גישה ישירה לשער המוסף החשמלי (נהיגה אנלוגית)
• תואם עם מוסף כוח סטנדרטי
• בהתאם להנחיה האירופית 2002/95/EC
