SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ תיאור המוצר
| תכונת מוצר | ערך תכונה |
| יַצרָן: | וישאי |
| קטגוריית מוצר: | MOSFET |
| RoHS: | פרטים |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה / מארז: | TO-263-3 |
| קוטביות טרנזיסטור: | N-Channel |
| מספר ערוצים: | ערוץ 1 |
| Vds - מתח פירוק מקור ניקוז: | 60 V |
| מזהה - זרם ניקוז מתמשך: | 100 א' |
| Rds On - התנגדות מקור ניקוז: | 3.2 מילי אוהם |
| Vgs - מתח מקור שער: | - 20 וולט, + 20 וולט |
| Vgs th - מתח סף מקור שער: | 2 V |
| Qg - טעינת שער: | 60 nC |
| טמפרטורת עבודה מינימלית: | - 55 C |
| טמפרטורת עבודה מקסימלית: | + 175 C |
| Pd - פיזור כוח: | 150 W |
| מצב ערוץ: | הַגבָּרָה |
| שם מסחרי: | TrenchFET |
| מותג: | Vishay / Siliconix |
| תְצוּרָה: | יחיד |
| זמן הסתיו: | 7 נ' |
| סוג המוצר: | MOSFET |
| זמן עלייה: | 7 נ' |
| סִדרָה: | SQ |
| כמות מארז במפעל: | 800 |
| קטגוריית משנה: | MOSFETs |
| זמן עיכוב כיבוי טיפוסי: | 33 ns |
| זמן עיכוב הפעלה טיפוסי: | 15 ns |
| משקל יחידה: | 0.139332 אונקיות |
• MOSFET כוח TrenchFET®
• אריזה עם התנגדות תרמית נמוכה
• 100% Rg ו-UIS נבדקו
• AEC-Q101 מוסמך
