NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ תיאור מוצר
| מאפיין מוצר | ערך התכונה |
| יַצרָן: | אונסמי |
| קטגוריית מוצר: | MOSFET |
| RoHS: | פרטים |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה/מארז: | WDFN-8 |
| קוטביות טרנזיסטור: | ערוץ N |
| מספר ערוצים: | ערוץ 1 |
| Vds - מתח פירוק מקור ניקוז: | 30 וולט |
| Id - זרם ניקוז רציף: | 44 א |
| Rds דולק - התנגדות מקור ניקוז: | 7.4 מיליאום |
| Vgs - מתח מקור שער: | - 20 וולט, + 20 וולט |
| Vgs th - מתח סף מקור השער: | 1.3 וולט |
| Qg - טעינת שער: | 18.6 ננוצלזיוס |
| טמפרטורת הפעלה מינימלית: | - 55 מעלות צלזיוס |
| טמפרטורת הפעלה מקסימלית: | + 150 מעלות צלזיוס |
| Pd - פיזור הספק: | 3.9 וואט |
| מצב ערוץ: | הַגבָּרָה |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור סרט |
| אריזה: | עכבריל |
| מותג: | אונסמי |
| תְצוּרָה: | אֶחָד |
| סוג מוצר: | MOSFET |
| סִדרָה: | NTTFS4C10N |
| כמות אריזה במפעל: | 1500 |
| תת-קטגוריה: | MOSFETs |
| משקל יחידה: | 29.570 מ"ג |
♠ NTTFS4C10N MOSFET – הספק, יחיד, ערוץ N, 8FL 30 V, 44 A
• RDS נמוך (פעיל) כדי למזער הפסדי הולכה
• קיבוליות נמוכה כדי למזער הפסדי מנהלי התקנים
• טעינת שער אופטימלית למזעור הפסדי מיתוג
• מכשירים אלה נטולי פוליאוריטן, נטולי הלוגן/BFR ותואמים ל-RoHS
• ממירי DC-DC
• מתג עומס חשמל
• ניהול סוללות מחשב נייד
