NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH

תיאור קצר:

יצרנים: ON Semiconductor

קטגוריית מוצרים: טרנזיסטורים – FET, MOSFET – יחיד

טופס מידע:NTMFS4C029NT1G

תיאור: MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN

מצב RoHS: תואם RoHS


פירוט המוצר

מאפיינים

יישומים

תגיות מוצר

♠ תיאור המוצר

תכונת מוצר ערך תכונה
יַצרָן: onsemi
קטגוריית מוצר: MOSFET
RoHS: פרטים
טֶכנוֹלוֹגִיָה: Si
סגנון הרכבה: SMD/SMT
חבילה / מארז: SO-8FL-4
קוטביות טרנזיסטור: N-Channel
מספר ערוצים: ערוץ 1
Vds - מתח פירוק מקור ניקוז: 30 V
מזהה - זרם ניקוז מתמשך: 46 א
Rds On - התנגדות מקור ניקוז: 4.9 מילי אוהם
Vgs - מתח מקור שער: - 20 וולט, + 20 וולט
Vgs th - מתח סף מקור שער: 2.2 וולט
Qg - טעינת שער: 18.6 nC
טמפרטורת עבודה מינימלית: - 55 C
טמפרטורת עבודה מקסימלית: + 150 C
Pd - פיזור כוח: 23.6 W
מצב ערוץ: הַגבָּרָה
אריזה: סְלִיל
אריזה: גזור טייפ
אריזה: MouseReel
מותג: onsemi
תְצוּרָה: יחיד
זמן הסתיו: 7 נ'
מעבר מוליכות קדימה - מינימום: 43 ש
סוג המוצר: MOSFET
זמן עלייה: 34 ns
סִדרָה: NTMFS4C029N
כמות מארז במפעל: 1500
קטגוריית משנה: MOSFETs
סוג טרנזיסטור: 1 ערוץ N
זמן עיכוב כיבוי טיפוסי: 14 ns
זמן עיכוב הפעלה טיפוסי: 9 ns
משקל יחידה: 0.026455 אונקיות

  • קודם:
  • הַבָּא:

  • • RDS נמוך (מופעל) כדי למזער הפסדי הולכה

    • קיבולת נמוכה כדי למזער את הפסדי הנהג

    • טעינת שער אופטימלית כדי למזער הפסדי מיתוג

    • התקנים אלה הם ללא Pb, ללא הלוגן/ללא BFR והם תואמים ל-RoHS

    • אספקת כוח למעבד

    • ממירי DC-DC

    מוצרים קשורים