NSS60201LT1G טרנזיסטורים דו קוטביים - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
♠ תיאור המוצר
| תכונת מוצר | ערך תכונה |
| יַצרָן: | onsemi |
| קטגוריית מוצר: | טרנזיסטורים דו קוטביים - BJT |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה / מארז: | SOT-23-3 |
| קוטביות טרנזיסטור: | NPN |
| תְצוּרָה: | יחיד |
| מתח קולט VCEO מקסימום: | 60 V |
| אספן- מתח בסיס VCBO: | 140 וולט |
| מתח בסיס פולט VEBO: | 8 V |
| מתח רוויה של אספן-פולט: | 140 mV |
| זרם אספן DC מקסימלי: | 2 א |
| Pd - פיזור כוח: | 540 mW |
| רווח מוצר רוחב פס: | 100 מגה-הרץ |
| טמפרטורת עבודה מינימלית: | - 55 C |
| טמפרטורת עבודה מקסימלית: | + 150 C |
| סִדרָה: | NSS60201LT1G |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור טייפ |
| אריזה: | MouseReel |
| מותג: | onsemi |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 160 |
| גוֹבַה: | 0.94 מ"מ |
| אורך: | 2.9 מ"מ |
| סוג המוצר: | BJTs - טרנזיסטורים דו קוטביים |
| כמות מארז במפעל: | 3000 |
| קטגוריית משנה: | טרנזיסטורים |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| רוֹחַב: | 1.3 מ"מ |
| משקל יחידה: | 0.000282 אונקיות |
♠ טרנזיסטור VCE(sat) נמוך, NPN, 60 V, 4.0 A
משפחת ה-e 2PowerEdge של טרנזיסטורי VCE(sat) של ON Semiconductor הם התקני הרכבה על פני השטח מיניאטוריים הכוללים מתח רוויה נמוך במיוחד (VCE(sat)) ויכולת רווח זרם גבוה.אלה מיועדים לשימוש ביישומי מיתוג במתח נמוך ובמהירות גבוהה שבהם חשובה בקרת אנרגיה יעילה במחיר סביר.
יישומים אופייניים הם ממירי DC-DC וניהול צריכת חשמל במוצרים ניידים ומופעלי סוללה כגון טלפונים סלולריים ואלחוטיים, מחשבי כף יד, מחשבים, מדפסות, מצלמות דיגיטליות ונגני MP3.יישומים אחרים הם בקרות מנוע במתח נמוך במוצרי אחסון המוני כגון כונני דיסקים וכונני טייפ.בתעשיית הרכב ניתן להשתמש בהם בהפעלת כריות אוויר ובאשכול המכשירים.רווח הזרם הגבוה מאפשר להתקני e2PowerEdge להיותמונעים ישירות מיציאות הבקרה של PMU, וה-Linear Gain (Beta) הופך אותם לרכיבים אידיאליים במגברים אנלוגיים.
• קידומת NSV עבור יישומים לרכב ויישומים אחרים הדורשים דרישות לשינוי אתר ושליטה ייחודיים;AEC−Q101 מוסמך ובעל יכולת PPAP
• התקנים אלה הם ללא Pb, ללא הלוגן/ללא BFR והם תואמים ל-RoHS
