FGH40T120SMD-F155 טרנזיסטורי IGBT 1200V 40A תעלת עצירת שדה IGBT
♠ תיאור המוצר
| תכונת מוצר | ערך תכונה |
| יַצרָן: | onsemi |
| קטגוריית מוצר: | טרנזיסטורי IGBT |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| חבילה / מארז: | TO-247G03-3 |
| סגנון הרכבה: | דרך חור |
| תְצוּרָה: | יחיד |
| מתח קולט VCEO מקסימום: | 1200 V |
| מתח רוויה של אספן-פולט: | 2 V |
| מתח פולט שער מקסימלי: | 25 וולט |
| זרם אספן מתמשך ב-25 C: | 80 א |
| Pd - פיזור כוח: | 555 W |
| טמפרטורת עבודה מינימלית: | - 55 C |
| טמפרטורת עבודה מקסימלית: | + 175 C |
| סִדרָה: | FGH40T120SMD |
| אריזה: | צינור |
| מותג: | onsemi / Fairchild |
| IC מקסימום אוסף רציף: | 40 א |
| זרם דליפה של פולט שער: | 400 nA |
| סוג המוצר: | טרנזיסטורי IGBT |
| כמות מארז במפעל: | 30 |
| קטגוריית משנה: | IGBTs |
| חלק # כינויים: | FGH40T120SMD_F155 |
| משקל יחידה: | 0.225401 אונקיות |
♠ IGBT - עצירת שדה, תעלה 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
תוך שימוש בטכנולוגיית IGBT חדשנית לעצירת שדה, הסדרה החדשה של ON Semiconductor של IGBT עצירת תעלת שדה מציעה את הביצועים האופטימליים עבור יישומי מיתוג קשיח כגון מהפך סולארי, UPS, רתך ויישומי PFC.
• טכנולוגיית FS Trench, מקדם טמפרטורה חיובי
• מיתוג במהירות גבוהה
• מתח רוויה נמוך: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 40 A
• 100% מהחלקים שנבדקו עבור ILM(1)
• עכבת כניסה גבוהה
• התקנים אלה הם Pb-Free והם תואמי RoHS
• יישומי מהפך סולארי, רתך, UPS ו-PFC
