BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
♠ תיאור המוצר
| תכונת מוצר | ערך תכונה |
| יַצרָן: | onsemi |
| קטגוריית מוצר: | MOSFET |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה / מארז: | SOT-23-3 |
| קוטביות טרנזיסטור: | N-Channel |
| מספר ערוצים: | ערוץ 1 |
| Vds - מתח פירוק מקור ניקוז: | 100 וולט |
| מזהה - זרם ניקוז מתמשך: | 170 mA |
| Rds On - התנגדות מקור ניקוז: | 6 אוהם |
| Vgs - מתח מקור שער: | - 20 וולט, + 20 וולט |
| Vgs th - מתח סף מקור שער: | 800 mV |
| Qg - טעינת שער: | 2.5 nC |
| טמפרטורת עבודה מינימלית: | - 55 C |
| טמפרטורת עבודה מקסימלית: | + 150 C |
| Pd - פיזור כוח: | 300 mW |
| מצב ערוץ: | הַגבָּרָה |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור טייפ |
| אריזה: | MouseReel |
| מותג: | onsemi / Fairchild |
| תְצוּרָה: | יחיד |
| זמן הסתיו: | 9 ns |
| מעבר מוליכות קדימה - מינימום: | 0.8 S |
| גוֹבַה: | 1.2 מ"מ |
| אורך: | 2.9 מ"מ |
| מוצר: | אות קטן של MOSFET |
| סוג המוצר: | MOSFET |
| זמן עלייה: | 9 ns |
| סִדרָה: | BSS123 |
| כמות מארז במפעל: | 3000 |
| קטגוריית משנה: | MOSFETs |
| סוג טרנזיסטור: | 1 ערוץ N |
| סוּג: | FET |
| זמן עיכוב כיבוי טיפוסי: | 17 נ' |
| זמן עיכוב הפעלה טיפוסי: | 1.7 ns |
| רוֹחַב: | 1.3 מ"מ |
| חלק # כינויים: | BSS123_NL |
| משקל יחידה: | 0.000282 אונקיות |
♠ מצב שיפור רמת לוגיקה N-Channel טרנזיסטור אפקט שדה
טרנזיסטורי אפקט שדה של מצב N-Channel אלו מיוצרים באמצעות טכנולוגיית DMOS הקניינית של onsem, בצפיפות תאים גבוהה.מוצרים אלה תוכננו כדי למזער את ההתנגדות במצב במצב תוך מתן ביצועי מיתוג קשיחים, אמינים ומהירים.מוצרים אלה מתאימים במיוחד ליישומי מתח נמוך וזרם נמוך כגון בקרת מנוע סרוו קטן, מנהלי הספק לשער MOSFET ויישומי מיתוג אחרים.
• 0.17 A, 100 V
♦ RDS(on) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(on) = 10 @ VGS = 4.5 V
• עיצוב תא בצפיפות גבוהה עבור RDS נמוך במיוחד (מופעל)
• קשיח ואמין
• חבילת תושבת משטח SOT−23 בתקן תעשייתי קומפקטי
• מכשיר זה הוא ללא Pb וללא הלוגן
