וסת מתח LDO לרכב TLV70233QDBVRQ1 300mA
♠ תיאור מוצר
| מאפיין מוצר | ערך התכונה |
| יַצרָן: | טקסס אינסטרומנטס |
| קטגוריית מוצר: | וסת מתח LDO |
| RoHS: | פרטים |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה/מארז: | SOT-23-5 |
| מתח יציאה: | 3.3 וולט |
| זרם יציאה: | 300 מיליאמפר |
| מספר יציאות: | 1 פלט |
| קוטביות: | חִיוּבִי |
| זרם רגיעה: | 35 יוניברסל |
| מתח כניסה, מינימום: | 2 וולט |
| מתח כניסה, מקסימום: | 5.5 וולט |
| דחיית PSRR / אדוות - טיפוסי: | 68 דציבלים |
| סוג פלט: | קָבוּעַ |
| טמפרטורת הפעלה מינימלית: | - 40 מעלות צלזיוס |
| טמפרטורת הפעלה מקסימלית: | + 125 מעלות צלזיוס |
| מתח נשירה: | 220 מיליוולט |
| הַכשָׁרָה: | AEC-Q100 |
| סִדרָה: | TLV702-Q1 |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור סרט |
| אריזה: | עכבריל |
| מותג: | טקסס אינסטרומנטס |
| מתח נפילה - מקסימום: | 375 מיליוולט |
| ויסות קו: | 1 מיליוולט |
| ויסות עומס: | 1 מיליוולט |
| טווח טמפרטורות הפעלה: | - 4 |
| טווח מתח יציאה: | - |
| מוּצָר: | וסת מתח LDO |
| סוג מוצר: | וסת מתח LDO |
| כמות אריזה במפעל: | 3000 |
| תת-קטגוריה: | PMIC - מעגלים משולבים לניהול צריכת חשמל |
| סוּג: | וסת ליניארי LDO |
| דיוק ויסות מתח: | 2% |
| משקל יחידה: | 0.001658 אונקיות |
♠ TLV702-Q1 300-mA, רגולטור בעל IQ נמוך וירידה נמוכה
סדרת TLV702-Q1 של וסתים ליניאריים בעלי נפילת מתח נמוכה (LDO) הם התקני זרם רגיעה נמוך עם ביצועים מצוינים של מעבר קו ועומס. LDOs אלה מתוכננים עבור יישומים רגישים להספק.
פער מתח מדויק ומגבר שגיאה מספקים דיוק כולל של 2%. רעש פלט נמוך, יחס דחיית ספק כוח (PSRR) גבוה מאוד וירידה במתח נמוך הופכים את סדרת התקנים זו לאידיאלית עבור מגוון רחב של ציוד המופעל על ידי סוללות. לכל גרסאות ההתקן יש הגנות כיבוי תרמי והגבלת זרם לבטיחות.
יתר על כן, התקנים אלה יציבים עם קיבול פלט אפקטיבי של 0.1 מיקרופרנהאט בלבד. תכונה זו מאפשרת שימוש בקבלים חסכוניים בעלי מתחי הטיה גבוהים יותר וירידה בטמפרטורה. התקנים מווסתים לדיוק מוגדר ללא עומס פלט.
סדרת TLV702-Q1 של וסתים ליניאריים LDO זמינה במארזי SOT ו-WSON.
• מוסמך ליישומים ברכב
• מוסמך AEC-Q100 עם התוצאות הבאות:
– דרגת טמפרטורת המכשיר 1: -40°C עד 125°C טווח טמפרטורות סביבה לפעולה
– סיווג ESD של HBM למכשיר רמת H2
– סיווג ESD של CDM למכשירים ברמה C4B
• נשירה נמוכה מאוד:
– 37 מיליוולט ב-IOUT = 50 מיליאמפר, VOUT = 2.8 וולט
– 75 מיליוולט ב-IOUT = 100 מיליאמפר, VOUT = 2.8 וולט
– 220 מיליוולט ב-IOUT = 300 מיליאמפר, VOUT = 2.8 וולט
• דיוק של 2% מעל טמפרטורה
• IQ נמוך: 35 מיקרו-אמפר
• שילובי מתח יציאה קבועים אפשריים מ-1.2 וולט עד 4.8 וולט
• PSRR גבוה: 68 dB ב-1 kHz
• יציב עם קיבול אפקטיבי של 0.1 µF
• כיבוי תרמי והגנה מפני זרם יתר
• מארזים: SOT בעל 5 פינים (DBV ו-DDC) ו-WSON בעל 6 פינים בגודל 1.5 מ"מ × 1.5 מ"מ
• מודולי מצלמות רכב
• עוצמת חיישן תמונה
• מסילות מיקרו-מעבד
• יחידות ראש מידע ובידור לרכב
• אלקטרוניקה לרכב
