IPC70N04S5L4R2ATMA1 רכיב MOSFET MOSFET_(20V,40V)
♠ תיאור מוצר
| מאפיין מוצר | ערך התכונה |
| יַצרָן: | אינפיניון |
| קטגוריית מוצר: | MOSFET |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה: | Si |
| סגנון הרכבה: | SMD/SMT |
| חבילה/מארז: | TDSON-8 |
| קוטביות טרנזיסטור: | ערוץ N |
| מספר ערוצים: | ערוץ 1 |
| Vds - מתח פירוק מקור ניקוז: | 40 וולט |
| Id - זרם ניקוז רציף: | 70 א' |
| Rds דולק - התנגדות מקור ניקוז: | 3.4 מיליאום |
| Vgs - מתח מקור שער: | - 16 וולט, + 16 וולט |
| Vgs th - מתח סף מקור השער: | 1.2 וולט |
| Qg - טעינת שער: | 30 ננוצלזיוס |
| טמפרטורת הפעלה מינימלית: | - 55 מעלות צלזיוס |
| טמפרטורת הפעלה מקסימלית: | + 175 מעלות צלזיוס |
| Pd - פיזור הספק: | 50 וואט |
| מצב ערוץ: | הַגבָּרָה |
| הַכשָׁרָה: | AEC-Q101 |
| שם מסחרי: | אופטימוס |
| אריזה: | סְלִיל |
| אריזה: | גזור סרט |
| אריזה: | עכבריל |
| מותג: | אינפיניון טכנולוגיות |
| תְצוּרָה: | אֶחָד |
| זמן סתיו: | 6 ננו-שניות |
| סוג מוצר: | MOSFET |
| זמן עלייה: | 2 ננו-שניות |
| סִדרָה: | ערוץ N |
| כמות אריזה במפעל: | 5000 |
| תת-קטגוריה: | MOSFETs |
| סוג טרנזיסטור: | ערוץ N אחד |
| זמן השהיית כיבוי אופייני: | 11 ננו-שניות |
| זמן השהיית הפעלה טיפוסי: | 3 ננו-שניות |
| מספר חלקים כינויים: | IPC70N04S5L-4R2 SP001418126 |
| משקל יחידה: | 0.003927 אונקיות |
• OptiMOS™ – MOSFET הספק עבור יישומי רכב
• ערוץ N – מצב שיפור – רמת לוגיקה
• בעל הסמכה AEC Q101
• זרימה חוזרת בשיא של MSL1 עד 260°C
• טמפרטורת הפעלה של 175 מעלות צלזיוס
• מוצר ירוק (תואם RoHS)
• נבדק 100% נגד מפולת שלגים
